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반도체 8대 공정 part.4 @ 플라즈마 식각 장비 (2) 안녕하세요, 송송입니다. 원래는 저번 시간에 모두 소개하려했던 것인데.. 글을 적다보니 이것도 중요하고~ 저것도 알아야할 듯 싶고~ 해서 적다보니 결국은 Sputtering 방식 밖에 설명하지 못했네요;; 이번 시간엔 플라즈마 식각에 영향을 주는 요인을 간단하게 얘기하고 식각 장비를 얘기해볼게요. ▶ 플라즈마 식각에 영향을 주는 요인 1) 챔버 벽(Chamer wall) 플라즈마 식각에서 챔버 벽과 같이 플라즈마에 직접적으로 노출되는 부분은 식각 특성에 영향을 줄 수 있습니다. 이는 챔버 벽 뿐만 아니라, 장비 내 소모성 부품들도 포함됩니다. 특히나 고밀도 플라즈마 환경에서는 챔벼 벽 및 샤워헤드 포커스링과 같은 부품들이 플라즈마에 의해 부식되고 오염 입 자를 발생시켜 수율 감소의 주 원인이 되기도 합니.. 2023. 7. 7.
반도체 8대 공정 간단히 알아보기 part.4 @ 플라즈마 식각 장비 안녕하세요, 송송입니다. 이번 시간엔 플라즈마 식각 장비를 함께 간단히 알아보겠습니다. 사실 식각 장비의 경우 기업마다 고유의 노하우 기술을 담고 있기 때문에 모든 것을 설명할 수 없으니 큰 틀 안에서만 보시면 좋겠습니다. 그럼 시작하겠습니다. ▶ 플라즈마 식각 메커니즘 1) 물리적 식각(Physical etch) : 스퍼터링 식각(Sputtering)라고 부름. 플라즈마에서 형성된 Ar+이 실리콘 기판을 강하게 출동(때려서)하여 표면을 이타시키는 방법 스퍼터링의 경우는 진공 챔버 내 비활성가스인 Ar 가스를 채워넣고 전압을 인가하여 플라즈마를 띄웁니다. 이때 Self bias를 기판에 가해 기판(식각 대상 물질) 방향으로 이온이 가속되도록 함으로써 이온이 기판과 빠른 속도로 충돌하여 뜯어내는 방식입니다.. 2023. 7. 6.
반도체 공정 간단히 알아보기 part.4 @ 식각 공정 + 플라즈마 안녕하세요, 송송입니다. 저번 시간엔 식각 공정에 대해 간단히 알아보았죠? 이번 시간엔 건식 식각에서 대표적으로 사용되는 플라즈마에 대해 소개하고자 합니다. 특히, 플라즈마를 이용한 식각은 현재 어디에서나 널리 사용되고 있을 정도로 꼭!! 필수적으로 알고 가시는게 좋습니다. 그럼 시작하죠. 1. 플라즈마(Plasma)란? - 전체적으로 중성인 부분적으로 이온화 된 기체 - 중성원소, 전자, 이온, 여기된 중성원소, 광자, 라디칼 등 구성되어 있음 - 중성원소가 이온화된 비율은 약 10-6 ~ 10-2 정도임 - 전자와 이온이 전기장의 영향을 받아 전하가 이동하는 전도성 기체 - 전자와 이온간의 정전기적 힘이 영향을 주지만, 방향이 반대여서 상쇄됨 → Free particle처럼 거동함 * 말이 어렵나요?.. 2023. 7. 5.
반도체 공정 간단히 알아보기 part.4 @ 식각 공정 (1) 안녕하세요, 송송입니다. 이번엔 반도체 8대 공정 중 하나인 식각 공정에 대해 얘기해보도록 하겠습니다. 저번 시간에 같이 얘기했던 포토 공정이 끝나고 웨이퍼 위에 원하는 회로패턴을 형성했다면, 식각 공정을 거쳐야합니다. 식각 공정이 대체 뭔데!? 자, 그럼 시작하겠습니다. 1. 식각(Etching)이란? - 웨이퍼에서 필요한 회로 패턴을 제외한 나머지 부분을 제거하는 공정 2. 식각 종류 - 습식 식각(Wet etch) : 반응성 용액을 이용한 화학적 식각 * 장점 : 식각률(etch rate)이 좋음 식각 선택도(Etch selectivity)가 좋음 @ 등방성 식각(Isotropic etching)이 가능하다! → 같은 물질이 균일하게 증착되어 있는 경우, 이 물질을 완전히 제거하는 데 있어 건식 식.. 2023. 7. 4.
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