반응형 산화 공정2 반도체 공정 간단히 알아보기 part.2 @ 산화 공정(2/2) 네, 송송입니다. 저번 포스팅에서 실리콘 산화에 대해 간단히 알아봤습니다. 이번엔 예고 대로 열산화(Thermal oxidation)법에 대해 알아보겠습니다~ 1. Thermal oxidation - 노(로) Furnance를 이용하여 고온(900 ~ 1200 ℃)에서 산화시키는 공정 Furnance에 Gas를 주입하여 산화시키는 방법으로, 주입 가스는 HCl, N2, O2, H2가 사용된다. 음... 위 그림을 보고 의문점이 든다면 당신은 찐 공대생이자 좋은 엔지니어로 성장할 수 있다. 가운데 Furnance 안에 웨이퍼를 로딩해 놓은 상태로 가스를 주입했을 시, 가장 왼쪽에 있는 웨이퍼가 가장 먼저 가스와 반응을 할 것이다. 가스와 반응한다?? 반응?? 반응이 무엇이냐.. 상호작용 즉, 줄건 주고 잃.. 2023. 7. 2. 반도체 8대 공정 간단히 알아보기 part.2 @ 산화 공정(1/2) 안녕하세요, 송송입니다. 실리콘 웨이퍼 제작 다들 완료 하셨죠? 이번 시간엔 우리가 이쁘게 만들어 낸 실리콘 웨이퍼를 실제 공정에 들어갈 수 있게끔 해줄겁니다. 어떻게 할거냐? 산화시킬겁니다. 그럼 시작하겠습니다! 1. 산화란? - 물질이 산소와 결합하여 나타나는 현상 ex) 못이나 철로 된 물건들을 밖에 두면 녹이 슬어있음 → 으엑.. 완전 별로인데? 이걸 웨이퍼에 한다고?? YES! 그럼 WHY? 2. 실리콘 산화막(SiO2, Slicon oxide) - 절연 특성 Good! - 열로 성장된 산화막은 실리콘과 강한 결합력을 갖고 있음 - 고순도 화학작용을 거쳐 성장된 자연 산화막은 매우 청결함 → 반도체 가장 좋은거 : 청결 깨끗 No! 불순물! - 형성된 산화막은 실리콘 웨이퍼의 손상을 보호하고 외.. 2023. 7. 1. 이전 1 다음 반응형
